IPD50N06S409ATMA2 vs IPD052N10NF2SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD50N06S409ATMA2 par Infineon et IPD052N10NF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD052N10NF2SATMA1 IPD052N10NF2SATMA1 - 100V N-Ch MOSFET 5.2mΩ 118A | Infineon

IPD052N10NF2SATMA1 - 100V N-Ch MOSFET 5.2mΩ 118A | Infineon

IPD052N10NF2SATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD50N06S409ATMA2 IPD052N10NF2SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,49 $0,55
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A 118 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK) —
Nombre de broches 3 (2 + Tab) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD052N10NF2SATMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 17 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max — 3.8 V @ ID=84µA
Boîtier / Format — PG-TO252-3 (DPAK, SC-63)
Supplier Device Package — PG-TO252-3
Température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C (TJ)
Number of Channels — 1

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