IPD50N10S3L16ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD50N10S3L16ATMA1 por Infineon y IPD50N06S409ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N06S409ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,89 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD50N10S3L16ATMA1 —
Series OptiMOS-T —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 50 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 200 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 15 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.5 V (typ) —
Power Dissipation (P_D, T_C=25C) 100 W —
Encapsulado PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Estado RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Recuento de pines — 3 (2 + Tab)
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

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