IPD50N10S3L16ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD50N10S3L16ATMA1 par Infineon et IPD50N06S409ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N06S409ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD50N10S3L16ATMA1 —
Series OptiMOS-T —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 50 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 200 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 15 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.5 V (typ) —
Power Dissipation (P_D, T_C=25C) 100 W —
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Statut RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Nombre de broches — 3 (2 + Tab)
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

Fiches techniques et ressources

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