IPD50N10S3L16ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD50N10S3L16ATMA1 por Infineon e IPD50N06S409ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N06S409ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,89 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD50N10S3L16ATMA1 —
Series OptiMOS-T —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 50 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 200 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 15 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.5 V (typ) —
Power Dissipation (P_D, T_C=25C) 100 W —
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Status RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Contagem de pinos — 3 (2 + Tab)
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

Fichas técnicas e recursos

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