IPD50P04P413ATMA2 vs IPD90P04P405ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD50P04P413ATMA2 por Infineon y IPD90P04P405ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD50P04P413ATMA2 IPD90P04P405ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,42 $0,69
Polarity / Device Type P-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS-P2 (Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V -40 V
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) 50 A —
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) 58 W —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Maximum Junction Temperature (TJ,max) 175 °C —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C (Tj)
Encapsulado PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Standard Pack Quantity (13" reel) 2500 pcs —
Nivel MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Estado RoHS Compliant Compliant
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — -90 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V — 4.7 mΩ (typical)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source)
Process Technology — OptiMOS-P2 (trench + field plate)

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