IPD50P04P413ATMA2 vs IPD90P04P405ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD50P04P413ATMA2 par Infineon et IPD90P04P405ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD50P04P413ATMA2 IPD90P04P405ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,42 $0,69
Polarity / Device Type P-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS-P2 (Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V -40 V
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) 50 A —
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) 58 W —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Maximum Junction Temperature (TJ,max) 175 °C —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C (Tj)
Boîtier PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Standard Pack Quantity (13" reel) 2500 pcs —
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Statut RoHS Compliant Compliant
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — -90 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V — 4.7 mΩ (typical)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
Process Technology — OptiMOS-P2 (trench + field plate)

Fiches techniques et ressources

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