IPD50P04P413ATMA2 vs IPD90P04P405ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD50P04P413ATMA2 por Infineon e IPD90P04P405ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD50P04P413ATMA2 IPD90P04P405ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,42 $0,69
Polarity / Device Type P-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS-P2 (Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V -40 V
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) 50 A —
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) 58 W —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Maximum Junction Temperature (TJ,max) 175 °C —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C (Tj)
Encapsulamento PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Standard Pack Quantity (13" reel) 2500 pcs —
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Status RoHS Compliant Compliant
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — -90 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V — 4.7 mΩ (typical)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Process Technology — OptiMOS-P2 (trench + field plate)

Fichas técnicas e recursos

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