IPD60N10S412ATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD60N10S412ATMA1 por Infineon y IPC50N04S5L5R5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD60N10S412ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD60N10S412ATMA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 60 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 94 W —
RDS(on) Max @ VGS=10V 12.2 mOhm —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (2 + Tab) —
Nivel MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Peak Reflow Temperature 260 C 260 °C
AEC-Q101 Qualification Qualified (Automotive Grade) Qualified (automotive grade)
Estado RoHS Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
Sin halógenos Yes (per Infineon definition) —
Mode — Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

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