IPD60N10S412ATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD60N10S412ATMA1 par Infineon et IPC50N04S5L5R5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD60N10S412ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD60N10S412ATMA1 —
Type de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 60 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 94 W —
RDS(on) Max @ VGS=10V 12.2 mOhm —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (2 + Tab) —
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Peak Reflow Temperature 260 C 260 °C
AEC-Q101 Qualification Qualified (Automotive Grade) Qualified (automotive grade)
Statut RoHS Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
Sans halogène Yes (per Infineon definition) —
Mode — Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Fiches techniques et ressources

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