IPD60N10S412ATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD60N10S412ATMA1 por Infineon e IPC50N04S5L5R5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD60N10S412ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD60N10S412ATMA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 60 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 94 W —
RDS(on) Max @ VGS=10V 12.2 mOhm —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (2 + Tab) —
Nível MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Peak Reflow Temperature 260 C 260 °C
AEC-Q101 Qualification Qualified (Automotive Grade) Qualified (automotive grade)
Status RoHS Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
Livre de halogênio Yes (per Infineon definition) —
Mode — Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Fichas técnicas e recursos

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