IPD60N10S412ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD60N10S412ATMA1 por Infineon y IPD65R380E6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD60N10S412ATMA1 IPD65R380E6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD60N10S412ATMA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 60 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 94 W —
RDS(on) Max @ VGS=10V 12.2 mOhm —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (2 + Tab) —
Nivel MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Peak Reflow Temperature 260 C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (Automotive Grade) —
Estado RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
Sin halógenos Yes (per Infineon definition) —
Series — CoolMOS™ E6
Technology — Superjunction (CoolMOS™)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 10.6 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 380 mΩ
R_DS(on) test conditions — 3.2 A, 10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V typ
Gate Charge (Q_G) — 39 nC at 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 710 pF at 100 V
Power Dissipation (P_D) at T_C — 83 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +150 °C

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