IPD60N10S412ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD60N10S412ATMA1 par Infineon et IPD65R380E6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD60N10S412ATMA1 IPD65R380E6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD60N10S412ATMA1 —
Type de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 60 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 94 W —
RDS(on) Max @ VGS=10V 12.2 mOhm —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (2 + Tab) —
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Peak Reflow Temperature 260 C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (Automotive Grade) —
Statut RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
Sans halogène Yes (per Infineon definition) —
Series — CoolMOS™ E6
Technology — Superjunction (CoolMOS™)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 10.6 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 380 mΩ
R_DS(on) test conditions — 3.2 A, 10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V typ
Gate Charge (Q_G) — 39 nC at 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 710 pF at 100 V
Power Dissipation (P_D) at T_C — 83 W
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C

Fiches techniques et ressources

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