IPD60N10S412ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD60N10S412ATMA1 por Infineon e IPD65R380E6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD60N10S412ATMA1 IPD65R380E6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD60N10S412ATMA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 60 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 94 W —
RDS(on) Max @ VGS=10V 12.2 mOhm —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (2 + Tab) —
Nível MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Peak Reflow Temperature 260 C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (Automotive Grade) —
Status RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
Livre de halogênio Yes (per Infineon definition) —
Series — CoolMOS™ E6
Technology — Superjunction (CoolMOS™)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 10.6 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 380 mΩ
R_DS(on) test conditions — 3.2 A, 10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V typ
Gate Charge (Q_G) — 39 nC at 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 710 pF at 100 V
Power Dissipation (P_D) at T_C — 83 W
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +150 °C

Fichas técnicas e recursos

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