IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD70N10S312ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD60R280P7SAUMA1 por Infineon y IPD70N10S312ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 - 600V 280mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R280P7SAUMA1 - 600V 280mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R280P7SAUMA1 ✓ Activo
Infineon
IPD70N10S312ATMA1 IPD70N10S312ATMA1 - 100V 70A N-Channel MOSFET | TXF | TO-252

IPD70N10S312ATMA1 - 100V 70A N-Channel MOSFET | TXF | TO-252

IPD70N10S312ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD60R280P7SAUMA1 IPD70N10S312ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $0,92
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 12 A 70 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 180 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 280 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max @ ID = 190 µA [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) 53 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -40 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
Series CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) —
Estado RoHS Compliant —
Integrated ESD Protection Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IPD70N10S312ATMA1
Product Family — OptiMOS-T Power-Transistor
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Input Capacitance (Ciss) — 4355 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 65 nC @ 10 V
Operating Temperature (TJ) — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Tested — 100 % (per datasheet)
RoHS Compliance — Green product, RoHS compliant

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