IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD70N10S312ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R280P7SAUMA1 par Infineon et IPD70N10S312ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD60R280P7SAUMA1 IPD70N10S312ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,92
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 12 A 70 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 180 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 280 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max @ ID = 190 µA [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) 53 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -40 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
Series CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) —
Statut RoHS Compliant —
Integrated ESD Protection Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IPD70N10S312ATMA1
Product Family — OptiMOS-T Power-Transistor
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Input Capacitance (Ciss) — 4355 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 65 nC @ 10 V
Operating Temperature (TJ) — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Tested — 100 % (per datasheet)
RoHS Compliance — Green product, RoHS compliant

Fiches techniques et ressources

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