IPD60R2K0PFD7SAUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD60R2K0PFD7SAUMA1 por Infineon y IPB60R280P7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPB60R280P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,35 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS PFD7 —
Technology Superjunction N-Channel MOSFET Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 3 A —
Power Dissipation (P_D) at T_C 20 W —
R_DS(on) at V_GS = 10 V 2000 milliohm (typ) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Encapsulado PG-TO252-3-344 (DPAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) 3 (2 + Tab)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C (junction) -55 °C to +150 °C (T_j max)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) MSL2 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Compliant —
Standard Pack Quantity 2500 pcs / 13-inch reel —
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Configuration — Single N-Channel
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

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