IPD60R2K0PFD7SAUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD60R2K0PFD7SAUMA1 por Infineon e IPB60R280P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPB60R280P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,35 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS PFD7 —
Technology Superjunction N-Channel MOSFET Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 3 A —
Power Dissipation (P_D) at T_C 20 W —
R_DS(on) at V_GS = 10 V 2000 milliohm (typ) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Encapsulamento PG-TO252-3-344 (DPAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) 3 (2 + Tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) -55 °C to +150 °C (T_j max)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) MSL2 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Compliant —
Standard Pack Quantity 2500 pcs / 13-inch reel —
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Configuration — Single N-Channel
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Fichas técnicas e recursos

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