IPD60R2K0PFD7SAUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD60R2K0PFD7SAUMA1 제조: Infineon 및 IPB60R280P7ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPB60R280P7ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.35 $0.88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS PFD7 —
Technology Superjunction N-Channel MOSFET Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 3 A —
Power Dissipation (P_D) at T_C 20 W —
R_DS(on) at V_GS = 10 V 2000 milliohm (typ) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
패키지 PG-TO252-3-344 (DPAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
핀 수 3 (Gate, Drain, Source) 3 (2 + Tab)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55 C to +150 C (junction) -55 °C to +150 °C (T_j max)
습도 민감도 레벨 (MSL) MSL2 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Compliant —
Standard Pack Quantity 2500 pcs / 13-inch reel —
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Configuration — Single N-Channel
RoHS 상태 — Compliant
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청