IPD60R2K0PFD7SAUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD60R2K0PFD7SAUMA1 par Infineon et IPB60R280P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPB60R280P7ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,35 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS PFD7 —
Technology Superjunction N-Channel MOSFET Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 3 A —
Power Dissipation (P_D) at T_C 20 W —
R_DS(on) at V_GS = 10 V 2000 milliohm (typ) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Boîtier PG-TO252-3-344 (DPAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) 3 (2 + Tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (junction) -55 °C to +150 °C (T_j max)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) MSL2 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Compliant —
Standard Pack Quantity 2500 pcs / 13-inch reel —
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Configuration — Single N-Channel
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Fiches techniques et ressources

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