IPD60R600PFD7SAUMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD60R600PFD7SAUMA1 por Infineon y IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD60R600PFD7SAUMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,45 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS PFD7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS) OptiMOS 5 Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D) 6 A (Tc) —
R_DS(on) Max 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A —
Total Gate Charge (Q_g) 8.5 nC —
Output Capacitance (C_oss) 8 pF @ 400 V —
Power Dissipation (P_D) 31 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V (typ) —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C (Tj) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Estado RoHS Compliant Compliant
Reel Quantity 2500 —
Product Family — OptiMOS 5
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C (junction)
Recuento de pines — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

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