IPD60R600PFD7SAUMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD60R600PFD7SAUMA1 por Infineon e IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD60R600PFD7SAUMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,45 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS PFD7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS) OptiMOS 5 Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D) 6 A (Tc) —
R_DS(on) Max 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A —
Total Gate Charge (Q_g) 8.5 nC —
Output Capacitance (C_oss) 8 pF @ 400 V —
Power Dissipation (P_D) 31 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V (typ) —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55°C to +150°C (Tj) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Status RoHS Compliant Compliant
Reel Quantity 2500 —
Product Family — OptiMOS 5
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C (junction)
Contagem de pinos — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Fichas técnicas e recursos

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