IPD60R600PFD7SAUMA1 vs IPD600N25N3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD60R600PFD7SAUMA1 por Infineon y IPD600N25N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD600N25N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,45 $0,84
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS PFD7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D) 6 A (Tc) —
R_DS(on) Max 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A —
Total Gate Charge (Q_g) 8.5 nC —
Output Capacitance (C_oss) 8 pF @ 400 V —
Power Dissipation (P_D) 31 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V (typ) —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (Tape & Reel)
Temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C (Tj) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant —
Reel Quantity 2500 —
Part Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 25 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
On-Resistance RDS(on) max — 60 mOhm at VGS = 10 V
Tensión umbral de puerta — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Sin halógenos — Yes, per IEC 61249-2-21
JEDEC Qualification — Qualified for target application

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