IPD60R600PFD7SAUMA1 vs IPD600N25N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD60R600PFD7SAUMA1 por Infineon e IPD600N25N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD600N25N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,45 $0,84
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS PFD7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D) 6 A (Tc) —
R_DS(on) Max 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A —
Total Gate Charge (Q_g) 8.5 nC —
Output Capacitance (C_oss) 8 pF @ 400 V —
Power Dissipation (P_D) 31 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V (typ) —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (Tape & Reel)
Temperatura de operação -55°C to +150°C (Tj) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant —
Reel Quantity 2500 —
Part Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 25 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
On-Resistance RDS(on) max — 60 mOhm at VGS = 10 V
Tensão de limiar de gate — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Livre de halogênio — Yes, per IEC 61249-2-21
JEDEC Qualification — Qualified for target application

Fichas técnicas e recursos

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