IPD60R600PFD7SAUMA1 vs IPD600N25N3GATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD60R600PFD7SAUMA1 メーカー: Infineon および IPD600N25N3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 - 600V 6A 600mΩ CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPD60R600PFD7SAUMA1 - 600V 6A 600mΩ CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPD60R600PFD7SAUMA1 ✓ 生産中
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IPD600N25N3GATMA1 IPD600N25N3GATMA1 - 250V 25A OptiMOS 3 N-MOSFET DPAK | Infineon

IPD600N25N3GATMA1 - 250V 25A OptiMOS 3 N-MOSFET DPAK | Infineon

IPD600N25N3GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD600N25N3GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.45 $0.84
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS PFD7 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D) 6 A (Tc) —
R_DS(on) Max 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A —
Total Gate Charge (Q_g) 8.5 nC —
Output Capacitance (C_oss) 8 pF @ 400 V —
Power Dissipation (P_D) 31 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V (typ) —
パッケージ PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (Tape & Reel)
動作温度 -55°C to +150°C (Tj) —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS ステータス Compliant —
Reel Quantity 2500 —
Part Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 25 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
On-Resistance RDS(on) max — 60 mOhm at VGS = 10 V
ゲートしきい値電圧 — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
動作接合温度 — -55 C to +175 C
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
ハロゲンフリー — Yes, per IEC 61249-2-21
JEDEC Qualification — Qualified for target application

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