IPD90P03P404ATMA2 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD90P03P404ATMA2 por Infineon y IPD50N06S409ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 - 30V P-Ch 90A 4.5mΩ MOSFET | Infineon

IPD90P03P404ATMA2 - 30V P-Ch 90A 4.5mΩ MOSFET | Infineon

IPD90P03P404ATMA2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD90P03P404ATMA2 IPD50N06S409ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,58 $0,49
Tipo de transistor P-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -90 A —
On-State Resistance R DS(on) @ VGS = -10V 4.5 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Rating ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS = 10V 130 nC (typical) —
Input Capacitance (Ciss) @ VDS = 25V 10300 pF (typical) —
Power Dissipation (PD) at TC 137 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C (TJ) —
Encapsulado PG-TO252-3-11 (DPAK / TO-252-3) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Technology OptiMOS trench N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Estado RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Recuento de pines — 3 (2 + Tab)
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

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