IPD90P03P404ATMA2 vs IPD50N06S409ATMA2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD90P03P404ATMA2 от Infineon и IPD50N06S409ATMA2 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IPD90P03P404ATMA2 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,58 | $0,49 |
| Тип транзистора | P-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | -90 A | — |
| On-State Resistance R DS(on) @ VGS = -10V | 4.5 mΩ (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Rating | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS = 10V | 130 nC (typical) | — |
| Input Capacitance (Ciss) @ VDS = 25V | 10300 pF (typical) | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 137 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55°C to +175°C (TJ) | — |
| Корпус | PG-TO252-3-11 (DPAK / TO-252-3) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| Technology | OptiMOS trench | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55 °C to +175 °C |
| Число выводов | — | 3 (2 + Tab) |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |