IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG20N04S408ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPG20N06S2L65AATMA1 por Infineon y IPG20N04S408ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N04S408ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
FET Type Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) Dual N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) —
Power Dissipation (PD) 43 W —
Gate Threshold (VGS(th)) Logic-Level —
Technology OptiMOS Trench MOSFET OptiMOS (trench MOSFET)
Encapsulado PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C —
AEC-Q101 Qualification Yes —
Nivel MSL MSL1 (peak reflow 260 C) MSL1 (260 degC peak reflow)
Estado RoHS Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (wettable flank) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, per channel) — 20 A at 25 degC case
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 7.6 mOhm
Maximum Power Dissipation (P_D) — 65 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 degC to +175 degC
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Rated — 100 percent tested
Channel Count — 2 (independent)
Operating Mode — Enhancement mode, Normal Level

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