IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG20N04S408ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N06S2L65AATMA1 par Infineon et IPG20N04S408ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPG20N06S2L65AATMA1 | IPG20N04S408ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) | Dual N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | Logic-Level | — |
| Technology | OptiMOS Trench MOSFET | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Boîtier | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| Niveau MSL | MSL1 (peak reflow 260 C) | MSL1 (260 degC peak reflow) |
| Statut RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (wettable flank) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, per channel) | — | 20 A at 25 degC case |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 7.6 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (P_D) | — | 65 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 degC to +175 degC |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | 100 percent tested |
| Channel Count | — | 2 (independent) |
| Operating Mode | — | Enhancement mode, Normal Level |