IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG20N04S408ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPG20N06S2L65AATMA1 メーカー: Infineon および IPG20N04S408ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 ✓ 生産中
Infineon
IPG20N04S408ATMA1 IPG20N04S408ATMA1 - Dual N-Ch 40V 20A 7.6mOhm OptiMOS | Infineon

IPG20N04S408ATMA1 - Dual N-Ch 40V 20A 7.6mOhm OptiMOS | Infineon

IPG20N04S408ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N04S408ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $0.78
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
FET Type Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) Dual N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) —
Power Dissipation (PD) 43 W —
Gate Threshold (VGS(th)) Logic-Level —
Technology OptiMOS Trench MOSFET OptiMOS (trench MOSFET)
パッケージ PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -55 C to +175 C —
AEC-Q101 Qualification Yes —
MSLレベル MSL1 (peak reflow 260 C) MSL1 (260 degC peak reflow)
RoHS ステータス Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (wettable flank) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, per channel) — 20 A at 25 degC case
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 7.6 mOhm
Maximum Power Dissipation (P_D) — 65 W
動作接合温度 — -55 degC to +175 degC
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Rated — 100 percent tested
Channel Count — 2 (independent)
Operating Mode — Enhancement mode, Normal Level

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼