IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPG20N06S2L65AATMA1 por Infineon y IPG20N04S4L11ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N04S4L11ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
FET Type Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) 2 N-Channel (Dual)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) —
Power Dissipation (PD) 43 W —
Gate Threshold (VGS(th)) Logic-Level —
Technology OptiMOS Trench MOSFET OptiMOS-T2 trench
Encapsulado PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C —
AEC-Q101 Qualification Yes —
Nivel MSL MSL1 (peak reflow 260 C) 1 (260C peak reflow)
Estado RoHS Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (wettable flank) —
FET Feature — Logic Level Gate
Continuous Drain Current (ID) @ 25C — 20 A per channel
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A — 11.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Maximum Power Dissipation (PD) — 41 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified

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