IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N06S2L65AATMA1 par Infineon et IPG20N04S4L11ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N04S4L11ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
FET Type Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) 2 N-Channel (Dual)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) —
Power Dissipation (PD) 43 W —
Gate Threshold (VGS(th)) Logic-Level —
Technology OptiMOS Trench MOSFET OptiMOS-T2 trench
Boîtier PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55 C to +175 C —
AEC-Q101 Qualification Yes —
Niveau MSL MSL1 (peak reflow 260 C) 1 (260C peak reflow)
Statut RoHS Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (wettable flank) —
FET Feature — Logic Level Gate
Continuous Drain Current (ID) @ 25C — 20 A per channel
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A — 11.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Maximum Power Dissipation (PD) — 41 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified

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