IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPG20N06S2L65AATMA1 от Infineon и IPG20N04S4L11ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPG20N04S4L11ATMA1 - 40V 20A Dual N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon
IPG20N04S4L11ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPG20N06S2L65AATMA1 | IPG20N04S4L11ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,78 | $0,39 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) | 2 N-Channel (Dual) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | Logic-Level | — |
| Technology | OptiMOS Trench MOSFET | OptiMOS-T2 trench |
| Корпус | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) | PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | -55 C to +175 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| Уровень MSL | MSL1 (peak reflow 260 C) | 1 (260C peak reflow) |
| Статус RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (wettable flank) | — |
| FET Feature | — | Logic Level Gate |
| Continuous Drain Current (ID) @ 25C | — | 20 A per channel |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A | — | 11.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 41 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |