IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPG20N06S2L65AATMA1 por Infineon e IPG20N04S4L11ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N04S4L11ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
FET Type Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) 2 N-Channel (Dual)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) —
Power Dissipation (PD) 43 W —
Gate Threshold (VGS(th)) Logic-Level —
Technology OptiMOS Trench MOSFET OptiMOS-T2 trench
Encapsulamento PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55 C to +175 C —
AEC-Q101 Qualification Yes —
Nível MSL MSL1 (peak reflow 260 C) 1 (260C peak reflow)
Status RoHS Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (wettable flank) —
FET Feature — Logic Level Gate
Continuous Drain Current (ID) @ 25C — 20 A per channel
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A — 11.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Maximum Power Dissipation (PD) — 41 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified

Fichas técnicas e recursos

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