IPL65R070C7AUMA1 vs IPL60R125C7AUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPL65R070C7AUMA1 por Infineon y IPL60R125C7AUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 ✓ Activo
Infineon
IPL60R125C7AUMA1 IPL60R125C7AUMA1 - 600V 17A 125mOhm CoolMOS C7 | Infineon

IPL60R125C7AUMA1 - 600V 17A 125mOhm CoolMOS C7 | Infineon

IPL60R125C7AUMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPL65R070C7AUMA1 IPL60R125C7AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,68 $2,10
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS C7
Technology Superjunction N-Channel MOSFET CoolMOS (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 70 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 169 W —
Avalanche Energy (EAS) 171 mJ —
Temperatura de unión de funcionamiento -55°C to +150°C —
Encapsulado PG-VSON-4 (surface mount) PG-VSON-4 (surface mount)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in diode —
Channel Type N-Channel —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 17 A
On-State Resistance (RDS(on), max) — 125 mOhm
Power Dissipation (PD, Tc) — 103 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Recuento de pines — 4 (Gate / Drain / Drain / Source)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C (junction)
Channel Mode — Enhancement
Drive Voltage (recommended) — 10 V VGS

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