IPL65R070C7AUMA1 vs IPL60R125C7AUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPL65R070C7AUMA1 par Infineon et IPL60R125C7AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPL60R125C7AUMA1 IPL60R125C7AUMA1 - 600V 17A 125mOhm CoolMOS C7 | Infineon

IPL60R125C7AUMA1 - 600V 17A 125mOhm CoolMOS C7 | Infineon

IPL60R125C7AUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPL65R070C7AUMA1 IPL60R125C7AUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,68 $2,10
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS C7
Technology Superjunction N-Channel MOSFET CoolMOS (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 70 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 169 W —
Avalanche Energy (EAS) 171 mJ —
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +150°C —
Boîtier PG-VSON-4 (surface mount) PG-VSON-4 (surface mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in diode —
Channel Type N-Channel —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 17 A
On-State Resistance (RDS(on), max) — 125 mOhm
Power Dissipation (PD, Tc) — 103 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Nombre de broches — 4 (Gate / Drain / Drain / Source)
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +150 C (junction)
Channel Mode — Enhancement
Drive Voltage (recommended) — 10 V VGS

Fiches techniques et ressources

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