IPN80R1K2P7ATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPN80R1K2P7ATMA1 por Infineon y IPL60R105P7AUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPN80R1K2P7ATMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,51 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Family / Series CoolMOS P7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage VDSS 800 V —
Continuous Drain Current ID (Tc) 4.5 A —
Maximum RDS(on) 1200 mΩ at VGS = 10 V —
Power Dissipation PD (Tc) 6.8 W —
Gate-Source Voltage VGSS [DATA_NEEDED: VGSS absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Technology Superjunction (CoolMOS) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Encapsulado SOT-223 (3-pin, 2 + tab) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C (TJ) -55C to +150C
ESD Protection ESD-protected gate (per CoolMOS P7 family) —
RoHS Compliance Compliant —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Channel Type — N-Channel
Estado RoHS — Compliant
Sin halógenos — Yes
Lead-Free — Yes

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