IPN80R1K2P7ATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPN80R1K2P7ATMA1 par Infineon et IPL60R105P7AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPN80R1K2P7ATMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,51 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Family / Series CoolMOS P7 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage VDSS 800 V —
Continuous Drain Current ID (Tc) 4.5 A —
Maximum RDS(on) 1200 mΩ at VGS = 10 V —
Power Dissipation PD (Tc) 6.8 W —
Gate-Source Voltage VGSS [DATA_NEEDED: VGSS absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Technology Superjunction (CoolMOS) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Boîtier SOT-223 (3-pin, 2 + tab) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C (TJ) -55C to +150C
ESD Protection ESD-protected gate (per CoolMOS P7 family) —
RoHS Compliance Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Channel Type — N-Channel
Statut RoHS — Compliant
Sans halogène — Yes
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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