IPN80R1K2P7ATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPN80R1K2P7ATMA1 제조: Infineon 및 IPL60R105P7AUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPN80R1K2P7ATMA1 | IPL60R105P7AUMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.51 | $0.82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Family / Series | CoolMOS P7 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage VDSS | 800 V | — |
| Continuous Drain Current ID (Tc) | 4.5 A | — |
| Maximum RDS(on) | 1200 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation PD (Tc) | 6.8 W | — |
| Gate-Source Voltage VGSS | [DATA_NEEDED: VGSS absolute maximum] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS) | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET |
| 패키지 | SOT-223 (3-pin, 2 + tab) | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55°C to +150°C (TJ) | -55C to +150C |
| ESD Protection | ESD-protected gate (per CoolMOS P7 family) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 105 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | — | 137 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 45 nC |
| Channel Type | — | N-Channel |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |