IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN95R1K2P7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPN80R4K5P7ATMA1 por Infineon y IPN95R1K2P7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPN80R4K5P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,30 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 1.5 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 6 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 4.5 ohm max —
Encapsulado PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) SOT-223-3 (PG-SOT223)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) CoolMOS P7 (Super Junction)
Operating Mode Enhancement-mode —
Grade Industrial —
Application Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers —
Estado RoHS Compliant Compliant
Reel / Tape Packaging Tape & Reel (T/R) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 950 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 6 A
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V — 1200 mOhm (1.2 Ohm)
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) — 10 V
Power Dissipation (T_C) — 7 W
Recuento de pines — 3 (2 + Tab)
Series — CoolMOS P7
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C
Packaging — Tape & Reel
Part Status — Active

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