IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN95R1K2P7ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPN80R4K5P7ATMA1 メーカー: Infineon および IPN95R1K2P7ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN95R1K2P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN95R1K2P7ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPN80R4K5P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.30 $0.36
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 1.5 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 6 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 4.5 ohm max —
パッケージ PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) SOT-223-3 (PG-SOT223)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) CoolMOS P7 (Super Junction)
Operating Mode Enhancement-mode —
Grade Industrial —
Application Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Reel / Tape Packaging Tape & Reel (T/R) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 950 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 6 A
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V — 1200 mOhm (1.2 Ohm)
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) — 10 V
Power Dissipation (T_C) — 7 W
ピン数 — 3 (2 + Tab)
Series — CoolMOS P7
動作温度範囲 — -55C to +150C
Packaging — Tape & Reel
Part Status — Active

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