IPP60R180P7XKSA1 vs IPA60R190C6XKSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPP60R180P7XKSA1 por Infineon y IPA60R190C6XKSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPP60R180P7XKSA1 IPA60R190C6XKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,30 $1,18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C -55C to +150C
Encapsulado PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Número de pines 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nivel MSL N/A (through-hole) —
Product Family — CoolMOS C6
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 20.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 34 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Tab Isolation — Fully isolated (4 kV)
Lead Free — Yes

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