IPP60R180P7XKSA1 vs IPA60R190C6XKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPP60R180P7XKSA1 par Infineon et IPA60R190C6XKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPP60R180P7XKSA1 IPA60R190C6XKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,30 $1,18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C -55C to +150C
Boîtier PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab)
Type de montage Through Hole Through Hole
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Niveau MSL N/A (through-hole) —
Product Family — CoolMOS C6
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 20.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 34 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Tab Isolation — Fully isolated (4 kV)
Lead Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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