IPP60R180P7XKSA1 vs IPA60R190C6XKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPP60R180P7XKSA1 por Infineon e IPA60R190C6XKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPP60R180P7XKSA1 IPA60R190C6XKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,30 $1,18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C -55C to +150C
Encapsulamento PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Número de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nível MSL N/A (through-hole) —
Product Family — CoolMOS C6
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 20.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 34 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Tab Isolation — Fully isolated (4 kV)
Lead Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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