IPP60R180P7XKSA1 vs IPA60R190C6XKSA1 比較

詳細な並列比較: IPP60R180P7XKSA1 メーカー: Infineon および IPA60R190C6XKSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 - 600V 18A 180mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPP60R180P7XKSA1 - 600V 18A 180mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPP60R180P7XKSA1 ✓ 生産中
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IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 - 600V 20.2A CoolMOS C6 N-MOSFET | Infineon

IPA60R190C6XKSA1 - 600V 20.2A CoolMOS C6 N-MOSFET | Infineon

IPA60R190C6XKSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPP60R180P7XKSA1 IPA60R190C6XKSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.30 $1.18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C -55C to +150C
パッケージ PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab)
実装タイプ Through Hole Through Hole
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSLレベル N/A (through-hole) —
Product Family — CoolMOS C6
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 20.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 34 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Tab Isolation — Fully isolated (4 kV)
Lead Free — Yes

データシート&リソース

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