IPT015N10NF2SATMA1 vs IPTG025N15NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPT015N10NF2SATMA1 por Infineon y IPTG025N15NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPT015N10NF2SATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,10 $1,52
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6)
Encapsulado PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) PG-HSOG-8-1 (TOLG)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement OptiMOS 6 150 V (N-channel trench)
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Energía de avalancha de pulso único [DATA_NEEDED: EAS value] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 26 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 264 A (pulsed)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 395 W
On-State Resistance RDS(on) typ — 2.5 mOhm at VGS=10 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Solder Joint Reliability — Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK

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