IPT015N10NF2SATMA1 vs IPTG025N15NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT015N10NF2SATMA1 par Infineon et IPTG025N15NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT015N10NF2SATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,10 $1,52
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6)
Boîtier PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) PG-HSOG-8-1 (TOLG)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement OptiMOS 6 150 V (N-channel trench)
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Énergie d'avalanche à impulsion unique [DATA_NEEDED: EAS value] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 26 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 264 A (pulsed)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 395 W
On-State Resistance RDS(on) typ — 2.5 mOhm at VGS=10 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Solder Joint Reliability — Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK

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