IPT015N10NF2SATMA1 vs IPTG025N15NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPT015N10NF2SATMA1 por Infineon e IPTG025N15NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPT015N10NF2SATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,10 $1,52
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6)
Encapsulamento PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) PG-HSOG-8-1 (TOLG)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement OptiMOS 6 150 V (N-channel trench)
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Energia de avalanche de pulso único [DATA_NEEDED: EAS value] —
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 26 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 264 A (pulsed)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 395 W
On-State Resistance RDS(on) typ — 2.5 mOhm at VGS=10 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Solder Joint Reliability — Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK

Fichas técnicas e recursos

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