IQD016N08NM5ATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQD016N08NM5ATMA1 por Infineon y IQE036N08NM6CGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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IQD016N08NM5ATMA1 IQD016N08NM5ATMA1 - 80V 1.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQD016N08NM5ATMA1 - 80V 1.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQD016N08NM5ATMA1 ✓ Activo
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IQE036N08NM6CGATMA1 IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQD016N08NM5ATMA1 IQE036N08NM6CGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,68 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS 6
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (Ta) 31 A —
Continuous Drain Current (Tc) 323 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.6 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 333 W —
Encapsulado PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 Power-MOSFET Trench MOSFET, OptiMOS 6
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) -55 C to +175 C (junction, Tj)
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 80 V
Gate-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 118 A
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 16.7 A
Rds(on) max at Vgs=10V — 3.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 3.5 V (max)
Power Dissipation at Tc — 125 W
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Nivel MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Configuration — Single N-channel, Source-Down

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