IQD016N08NM5ATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQD016N08NM5ATMA1 par Infineon et IQE036N08NM6CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE036N08NM6CGATMA1 IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQD016N08NM5ATMA1 IQE036N08NM6CGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,68 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS 6
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (Ta) 31 A —
Continuous Drain Current (Tc) 323 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.6 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 333 W —
Boîtier PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 Power-MOSFET Trench MOSFET, OptiMOS 6
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) -55 C to +175 C (junction, Tj)
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 80 V
Gate-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 118 A
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 16.7 A
Rds(on) max at Vgs=10V — 3.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 3.5 V (max)
Power Dissipation at Tc — 125 W
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Niveau MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Configuration — Single N-channel, Source-Down

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