IQD016N08NM5ATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IQD016N08NM5ATMA1 제조: Infineon 및 IQE036N08NM6CGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IQD016N08NM5ATMA1 | IQE036N08NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.68 | $0.82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 6 |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 323 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 1.6 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | — |
| 패키지 | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 Power-MOSFET | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) | -55 C to +175 C (junction, Tj) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 118 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 16.7 A |
| Rds(on) max at Vgs=10V | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 3.5 V (max) |
| Power Dissipation at Tc | — | 125 W |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| MSL 레벨 | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Configuration | — | Single N-channel, Source-Down |